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SQM110P06-8M9L_GE3

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SQM110P06-8M9L_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

não conforme

SQM110P06-8M9L_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.66848 $1334.784
1,600 $1.53120 -
2,400 $1.42560 -
5,600 $1.37280 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7450 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 230W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRLR8256TRPBF
DMP6185SEQ-13
G3R160MT17J
R6530ENZ4C13
R6530ENZ4C13
$0 $/pedaço
SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3
$0 $/pedaço
IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/pedaço
IXTA102N15T-TRL
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$0 $/pedaço

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