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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 60 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 3A (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 150mOhm @ 2.2A, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | 3V @ 250µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 14 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 708 pF @ 30 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 2.2W (Ta) |
temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | SOT-223-3 |
pacote / caixa | TO-261-4, TO-261AA |
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