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SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

compliant

SQJ415EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.40477 -
6,000 $0.37850 -
15,000 $0.36536 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SUP90100E-GE3
SUP90100E-GE3
$0 $/pedaço
NTP6412ANG
NTP6412ANG
$0 $/pedaço
EPC2023
EPC2023
$0 $/pedaço
FDB3632
FDB3632
$0 $/pedaço
SISA88DN-T1-GE3
IRLR8743TRPBF
IRF630PBF-BE3
IRF630PBF-BE3
$0 $/pedaço

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