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SUP90100E-GE3

SUP90100E-GE3

SUP90100E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-

compliant

SUP90100E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 150A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.9mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3930 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTP6412ANG
NTP6412ANG
$0 $/pedaço
EPC2023
EPC2023
$0 $/pedaço
FDB3632
FDB3632
$0 $/pedaço
SISA88DN-T1-GE3
IRLR8743TRPBF
IRF630PBF-BE3
IRF630PBF-BE3
$0 $/pedaço
STF13N80K5
STF13N80K5
$0 $/pedaço
IRLMS6702TRPBF

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