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FDB3632

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK

FDB3632 Ficha de dados

não conforme

FDB3632 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.12210 $1697.68
1,600 $1.98794 -
2,400 $1.89404 -
5,600 $1.82696 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Ta), 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 310W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SISA88DN-T1-GE3
IRLR8743TRPBF
IRF630PBF-BE3
IRF630PBF-BE3
$0 $/pedaço
STF13N80K5
STF13N80K5
$0 $/pedaço
IRLMS6702TRPBF
P3M06120K3
FDD6N25TM
FDD6N25TM
$0 $/pedaço
C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR
$0 $/pedaço
IRFW644BTM

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