Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

não conforme

SQD40030E_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.72072 -
6,000 $0.68468 -
10,000 $0.65894 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

APT10050JVFR
DMN1019UVT-13
DMTH10H025SK3-13
NTD18N06T4G
NTD18N06T4G
$0 $/pedaço
SIA459EDJ-T1-GE3
SQS405EN-T1_GE3

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.