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DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

compliant

DMN1019UVT-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.13104 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50.4 nC @ 8 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2588 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.73W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TSOT-26
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

DMTH10H025SK3-13
NTD18N06T4G
NTD18N06T4G
$0 $/pedaço
SIA459EDJ-T1-GE3
SQS405EN-T1_GE3
IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
$0 $/pedaço
NTMFSC004N08MC
NTMFSC004N08MC
$0 $/pedaço

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