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SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6

não conforme

SIA459EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19494 -
6,000 $0.18306 -
15,000 $0.17118 -
30,000 $0.16286 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 885 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6
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Número da peça relacionada

SQS405EN-T1_GE3
IV1Q12050T4
IV1Q12050T4
$0 $/pedaço
NTMFSC004N08MC
NTMFSC004N08MC
$0 $/pedaço
IRFP250MPBF
IPD80R280P7ATMA1
NTNS0K8N021ZTCG
NTNS0K8N021ZTCG
$0 $/pedaço
NVD5C460NLT4G
NVD5C460NLT4G
$0 $/pedaço

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