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SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

SQ2303ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236

compliant

SQ2303ES-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16368 -
6,000 $0.15312 -
15,000 $0.14256 -
30,000 $0.13517 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 210 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

R8009KNXC7G
R8009KNXC7G
$0 $/pedaço
IXTN200N10T
IXTN200N10T
$0 $/pedaço
DIT100N10
DIT100N10
$0 $/pedaço
STB28NM60ND
STB28NM60ND
$0 $/pedaço
STD3N80K5
STD3N80K5
$0 $/pedaço
FDT86113LZ
FDT86113LZ
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HUF75545S3ST
HUF75545S3ST
$0 $/pedaço
SI4434ADY-T1-GE3
IXTH160N15T
IXTH160N15T
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DN3145N8-G
DN3145N8-G
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