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STB28NM60ND

STB28NM60ND

STB28NM60ND

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

compliant

STB28NM60ND Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $4.68665 -
2,000 $4.53276 -
449 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 62.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2090 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 190W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

STD3N80K5
STD3N80K5
$0 $/pedaço
FDT86113LZ
FDT86113LZ
$0 $/pedaço
HUF75545S3ST
HUF75545S3ST
$0 $/pedaço
SI4434ADY-T1-GE3
IXTH160N15T
IXTH160N15T
$0 $/pedaço
DN3145N8-G
DN3145N8-G
$0 $/pedaço
STP24N60M6
STP24N60M6
$0 $/pedaço
BUK7526-100B,127
BUK7526-100B,127
$0 $/pedaço
HUF75321S3S

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