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IXTN200N10T

IXTN200N10T

IXTN200N10T

IXYS

MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B

compliant

IXTN200N10T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $24.60500 $246.05
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 550W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

DIT100N10
DIT100N10
$0 $/pedaço
STB28NM60ND
STB28NM60ND
$0 $/pedaço
STD3N80K5
STD3N80K5
$0 $/pedaço
FDT86113LZ
FDT86113LZ
$0 $/pedaço
HUF75545S3ST
HUF75545S3ST
$0 $/pedaço
SI4434ADY-T1-GE3
IXTH160N15T
IXTH160N15T
$0 $/pedaço
DN3145N8-G
DN3145N8-G
$0 $/pedaço
STP24N60M6
STP24N60M6
$0 $/pedaço
BUK7526-100B,127
BUK7526-100B,127
$0 $/pedaço

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