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SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK

não conforme

SISH625DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27120 -
6,000 $0.25360 -
15,000 $0.24480 -
30,000 $0.24000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17.3A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 126 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4427 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

FDPF8N60ZUT
FDPF8N60ZUT
$0 $/pedaço
BSS84T116
BSS84T116
$0 $/pedaço
SI7846DP-T1-GE3
STF11N65M2
STF11N65M2
$0 $/pedaço
SIR626ADP-T1-RE3
FCA20N60F
FCA20N60F
$0 $/pedaço
SUD23N06-31L-T4BE3
NTE2935
NTE2935
$0 $/pedaço
SIR514DP-T1-RE3
R8002ANX
R8002ANX
$0 $/pedaço

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