Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

não conforme

SI7846DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.50575 -
6,000 $1.45350 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

STF11N65M2
STF11N65M2
$0 $/pedaço
SIR626ADP-T1-RE3
FCA20N60F
FCA20N60F
$0 $/pedaço
SUD23N06-31L-T4BE3
NTE2935
NTE2935
$0 $/pedaço
SIR514DP-T1-RE3
R8002ANX
R8002ANX
$0 $/pedaço
NVMFS5C646NLWFAFT3G
NVMFS5C646NLWFAFT3G
$0 $/pedaço
AUIRF7647S2TR
STP95N4F3
STP95N4F3
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.