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SIR514DP-T1-RE3

SIR514DP-T1-RE3

SIR514DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

compliant

SIR514DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.07000 $2.07
500 $2.0493 $1024.65
1000 $2.0286 $2028.6
1500 $2.0079 $3011.85
2000 $1.9872 $3974.4
2500 $1.9665 $4916.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2550 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 83.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

R8002ANX
R8002ANX
$0 $/pedaço
NVMFS5C646NLWFAFT3G
NVMFS5C646NLWFAFT3G
$0 $/pedaço
AUIRF7647S2TR
STP95N4F3
STP95N4F3
$0 $/pedaço
PSMN4R1-60YLX
PSMN4R1-60YLX
$0 $/pedaço
TP2640LG-G
TP2640LG-G
$0 $/pedaço
FQD7N10LTM
FQD7N10LTM
$0 $/pedaço
MCH6337-TL-H
MCH6337-TL-H
$0 $/pedaço

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