Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

SIRA20BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK

não conforme

SIRA20BDP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 82A (Ta), 335A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 186 nC @ 10 V
vgs (máx.) +16V, -12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9950 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

BSS169H6906XTSA1
RX3G07CGNC16
RX3G07CGNC16
$0 $/pedaço
UF3C065080T3S
UF3C065080T3S
$0 $/pedaço
SI2377EDS-T1-BE3
SIS782DN-T1-GE3
CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.