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SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

não conforme

SIS782DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27459 -
6,000 $0.25677 -
15,000 $0.24786 -
30,000 $0.24300 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1025 pF @ 15 V
característica fet Schottky Diode (Body)
dissipação de potência (máx.) 41W (Tc)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/pedaço
NTMFS4C250NT1G
NTMFS4C250NT1G
$0 $/pedaço
NTDV20N06T4G-VF01
NTDV20N06T4G-VF01
$0 $/pedaço
FDP5N50
FDP5N50
$0 $/pedaço
STP15N95K5
STP15N95K5
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IXTA26P10T
IXTA26P10T
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