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AOWF12N60

AOWF12N60

AOWF12N60

MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

compliant

AOWF12N60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.84000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 28W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-262F
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

SI2377EDS-T1-BE3
SIS782DN-T1-GE3
CSD19503KCS
CSD19503KCS
$0 $/pedaço
NTMFS4C250NT1G
NTMFS4C250NT1G
$0 $/pedaço
NTDV20N06T4G-VF01
NTDV20N06T4G-VF01
$0 $/pedaço
FDP5N50
FDP5N50
$0 $/pedaço
STP15N95K5
STP15N95K5
$0 $/pedaço

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