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SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

SIR640DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR640DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4930 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SPD04N80C3BTMA1
IRF9Z30
IRF9Z30
$0 $/pedaço
IXTH13N110
IXTH13N110
$0 $/pedaço
MCQ4410-TP
MCQ4410-TP
$0 $/pedaço
IRFR3704TRR
IXTT12N140
IXTT12N140
$0 $/pedaço
SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFR15N20DTRLP

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