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SPD04N80C3BTMA1

SPD04N80C3BTMA1

SPD04N80C3BTMA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3

não conforme

SPD04N80C3BTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.77058 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.9V @ 240µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRF9Z30
IRF9Z30
$0 $/pedaço
IXTH13N110
IXTH13N110
$0 $/pedaço
MCQ4410-TP
MCQ4410-TP
$0 $/pedaço
IRFR3704TRR
IXTT12N140
IXTT12N140
$0 $/pedaço
SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFR15N20DTRLP
STFI9N60M2
STFI9N60M2
$0 $/pedaço

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