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IXTT12N140

IXTT12N140

IXTT12N140

IXYS

MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

não conforme

IXTT12N140 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3720 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 890W (Tc)
temperatura de operação -
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFR15N20DTRLP
STFI9N60M2
STFI9N60M2
$0 $/pedaço
BSP298H6327XUSA1
SUM110N04-2M3L-E3
NTP45N06L
NTP45N06L
$0 $/pedaço
IXTP24N15T
IXTP24N15T
$0 $/pedaço
IXTC250N075T
IXTC250N075T
$0 $/pedaço

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