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SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

SIR186DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIR186DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.59778 -
6,000 $0.56971 -
15,000 $0.54967 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1710 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

ISL9N2357D3ST
IXFP38N30X3
IXFP38N30X3
$0 $/pedaço
IRFU120PBF
IRFU120PBF
$0 $/pedaço
IRL620PBF-BE3
IRL620PBF-BE3
$0 $/pedaço
STH272N6F7-6AG
FDS6685
FDS6685
$0 $/pedaço
STP13N60DM2
STP13N60DM2
$0 $/pedaço
IRFH3702TRPBF
IRFH7787TRPBF

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