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STP13N60DM2

STP13N60DM2

STP13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

não conforme

STP13N60DM2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.07153 $1.07153
500 $1.0608147 $530.40735
1000 $1.0500994 $1050.0994
1500 $1.0393841 $1559.07615
2000 $1.0286688 $2057.3376
2500 $1.0179535 $2544.88375
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 365mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 730 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRFH3702TRPBF
IRFH7787TRPBF
SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3
$0 $/pedaço
FQPF46N15
FQB1P50TM
FQB1P50TM
$0 $/pedaço
APTM20DAM05G
NTB6N60
NTB6N60
$0 $/pedaço
IPB65R065C7ATMA2

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