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STH272N6F7-6AG

STH272N6F7-6AG

STH272N6F7-6AG

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

compliant

STH272N6F7-6AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.45660 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 333W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor H2PAK-6
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

FDS6685
FDS6685
$0 $/pedaço
STP13N60DM2
STP13N60DM2
$0 $/pedaço
IRFH3702TRPBF
IRFH7787TRPBF
SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3
$0 $/pedaço
FQPF46N15
FQB1P50TM
FQB1P50TM
$0 $/pedaço
APTM20DAM05G
NTB6N60
NTB6N60
$0 $/pedaço

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