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SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

compliant

SIHP8N50D-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.82368 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 527 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 156W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

DMT4001LPS-13
2SK3746
2SK3746
$0 $/pedaço
FDB047N10
FDB047N10
$0 $/pedaço
SIHB22N60ET1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3
RF1S50N06SM9A
R6024VNXC7G
R6024VNXC7G
$0 $/pedaço
AUIRF6215
AUIRF6215
$0 $/pedaço
IXTH68P20T
IXTH68P20T
$0 $/pedaço
SI2356DS-T1-GE3

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