Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236

não conforme

SI2356DS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.12677 -
6,000 $0.11949 -
15,000 $0.11221 -
30,000 $0.10347 -
75,000 $0.09983 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 51mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 370 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

FQP3N50C
IPI65R110CFD
SQS415ENW-T1_GE3
STB80N4F6AG
STB80N4F6AG
$0 $/pedaço
MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/pedaço
SIHF12N60E-E3
SIHF12N60E-E3
$0 $/pedaço
RS1E180BNTB
RS1E180BNTB
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.