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STB80N4F6AG

STB80N4F6AG

STB80N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

não conforme

STB80N4F6AG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.84640 -
2,000 $0.79580 -
5,000 $0.76038 -
10,000 $0.73508 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/pedaço
SIHF12N60E-E3
SIHF12N60E-E3
$0 $/pedaço
RS1E180BNTB
RS1E180BNTB
$0 $/pedaço
PMPB16XNEA115
PMPB16XNEA115
$0 $/pedaço
DMT43M8LFV-7
RM24N200TI
RM24N200TI
$0 $/pedaço

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