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SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

não conforme

SQS415ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.41886 -
6,000 $0.39919 -
15,000 $0.38514 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 16.1mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4825 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8W
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8W
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Número da peça relacionada

STB80N4F6AG
STB80N4F6AG
$0 $/pedaço
MSC035SMA070S
FDV305N
FDV305N
$0 $/pedaço
SIHF12N60E-E3
SIHF12N60E-E3
$0 $/pedaço
RS1E180BNTB
RS1E180BNTB
$0 $/pedaço
PMPB16XNEA115
PMPB16XNEA115
$0 $/pedaço
DMT43M8LFV-7

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