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FDB047N10

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

não conforme

FDB047N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.60130 $2081.04
1,600 $2.43685 -
2,400 $2.32173 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15265 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHB22N60ET1-GE3
SIDR668DP-T1-GE3
RF1S50N06SM9A
R6024VNXC7G
R6024VNXC7G
$0 $/pedaço
AUIRF6215
AUIRF6215
$0 $/pedaço
IXTH68P20T
IXTH68P20T
$0 $/pedaço
SI2356DS-T1-GE3
FQP3N50C
IPI65R110CFD
SQS415ENW-T1_GE3

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