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SIHP100N60E-GE3

SIHP100N60E-GE3

SIHP100N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB

SOT-23

não conforme

SIHP100N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.70000 $5.7
10 $5.10700 $51.07
100 $4.22020 $422.02
500 $3.45140 $1725.7
1,000 $2.93888 -
3,000 $2.80090 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1851 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

ZVP3310A
ZVP3310A
$0 $/pedaço
SQS484ENW-T1_GE3
HUFA75344S3S
FQI13N06LTU
FDN363N
FDN363N
$0 $/pedaço
FQPF3N80
SIS606BDN-T1-GE3
NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
$0 $/pedaço

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