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SIHK075N60E-T1-GE3

SIHK075N60E-T1-GE3

SIHK075N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

compliant

SIHK075N60E-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.98000 $6.98
500 $6.9102 $3455.1
1000 $6.8404 $6840.4
1500 $6.7706 $10155.9
2000 $6.7008 $13401.6
2500 $6.631 $16577.5
45 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 80mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2582 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK®10 x 12
pacote / caixa 8-PowerBSFN
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Número da peça relacionada

2N7002-G
2N7002-G
$0 $/pedaço
MMDFS3P303R2
MMDFS3P303R2
$0 $/pedaço
APT21M100J
APT21M100J
$0 $/pedaço
IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P
$0 $/pedaço
SI7615CDN-T1-GE3
FDA2712
FDA2712
$0 $/pedaço
NTGS3447PT1G
NTGS3447PT1G
$0 $/pedaço
SISA12ADN-T1-GE3
NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/pedaço

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