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SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

não conforme

SI7615CDN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.20034 -
6,000 $0.18741 -
15,000 $0.17449 -
30,000 $0.16544 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3860 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

FDA2712
FDA2712
$0 $/pedaço
NTGS3447PT1G
NTGS3447PT1G
$0 $/pedaço
SISA12ADN-T1-GE3
NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/pedaço
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/pedaço
BSO130P03SHXUMA1
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/pedaço

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