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TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

compliant

TPH1110ENH,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.63280 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/pedaço
DMT5015LFDF-7
STW56N65M2-4
STW56N65M2-4
$0 $/pedaço
SIHFR220-GE3
SIHFR220-GE3
$0 $/pedaço
DMP10H400SE-13
SIHD3N50D-BE3
SIHD3N50D-BE3
$0 $/pedaço
APT45M100J
APT45M100J
$0 $/pedaço
IXFT30N50P
IXFT30N50P
$0 $/pedaço
SQJ418EP-T1_GE3

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