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IXFT30N50P

IXFT30N50P

IXFT30N50P

IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

não conforme

IXFT30N50P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $5.45300 $163.59
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 460W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

SQJ418EP-T1_GE3
RCX510N25
RCX510N25
$0 $/pedaço
2SK3800VL
2SK3800VL
$0 $/pedaço
SCT30N120
SCT30N120
$0 $/pedaço
IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV
$0 $/pedaço
SIRA12BDP-T1-GE3
SI7148DP-T1-GE3
SQM70060EL_GE3
SQM70060EL_GE3
$0 $/pedaço

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