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SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

compliant

SIRA12BDP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.30369 -
6,000 $0.28274 -
15,000 $0.27227 -
30,000 $0.26656 -
1289 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Ta), 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1470 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI7148DP-T1-GE3
SQM70060EL_GE3
SQM70060EL_GE3
$0 $/pedaço
IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
$0 $/pedaço
IRFR9310TRLPBF
IRFR9310TRLPBF
$0 $/pedaço
FCPF190N65FL1-F154
FCPF190N65FL1-F154
$0 $/pedaço
APT1001RBVRG
IPD65R650CEAUMA1
DMTH8012LK3Q-13

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