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SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8

compliant

SISA12ADN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.37290 -
6,000 $0.34870 -
15,000 $0.33660 -
30,000 $0.33000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2070 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/pedaço
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/pedaço
BSO130P03SHXUMA1
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/pedaço
DMT5015LFDF-7
STW56N65M2-4
STW56N65M2-4
$0 $/pedaço
SIHFR220-GE3
SIHFR220-GE3
$0 $/pedaço

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