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SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

SIHG018N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC

compliant

SIHG018N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $18.89000 $18.89
10 $17.16900 $171.69
100 $14.59350 $1459.35
500 $12.44738 $6223.69
418 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 99A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 228 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7612 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 524W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SI2324DS-T1-BE3
G60N04K
G60N04K
$0 $/pedaço
SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/pedaço
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/pedaço
SCT3105KW7TL
SCT3105KW7TL
$0 $/pedaço
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3

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