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G60N04K

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G60N04K

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

G60N04K Ficha de dados

não conforme

G60N04K Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.78000 $0.78
500 $0.7722 $386.1
1000 $0.7644 $764.4
1500 $0.7566 $1134.9
2000 $0.7488 $1497.6
2500 $0.741 $1852.5
2490 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 65W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SUM110P08-11L-E3
STB14NM50N
STB14NM50N
$0 $/pedaço
IXFX52N100X
IXFX52N100X
$0 $/pedaço
SCT3105KW7TL
SCT3105KW7TL
$0 $/pedaço
DMT3006LFVQ-13
SIHW61N65EF-GE3
DN2535N5-G
DN2535N5-G
$0 $/pedaço
FDD86252
FDD86252
$0 $/pedaço

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