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SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

compliant

SIHW61N65EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $14.76000 $14.76
10 $13.42000 $134.2
480 $10.40050 $4992.24
960 $9.25980 $8889.408
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 64A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 47mOhm @ 30.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 371 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7407 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 520W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

DN2535N5-G
DN2535N5-G
$0 $/pedaço
FDD86252
FDD86252
$0 $/pedaço
APT50M75JLLU3
BSP225,115
BSP225,115
$0 $/pedaço
2N7002T
2N7002T
$0 $/pedaço
SUP40N25-60-E3
SUP40N25-60-E3
$0 $/pedaço
IPL60R285P7AUMA1

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