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SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

SIDR392DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

não conforme

SIDR392DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.82000 $1.82
500 $1.8018 $900.9
1000 $1.7836 $1783.6
1500 $1.7654 $2648.1
2000 $1.7472 $3494.4
2500 $1.729 $4322.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 82A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9530 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI4124DY-T1-E3
SI4124DY-T1-E3
$0 $/pedaço
RF4L055GNTCR
RF4L055GNTCR
$0 $/pedaço
FQA6N80
FQA6N80
$0 $/pedaço
DMTH6004LPSQ-13
MSC750SMA170B4
SUP10250E-GE3
SUP10250E-GE3
$0 $/pedaço
MCH3375-TL-H
MCH3375-TL-H
$0 $/pedaço
IPB024N10N5ATMA1

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