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RF4L055GNTCR

RF4L055GNTCR

RF4L055GNTCR

MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8

não conforme

RF4L055GNTCR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.94000 $0.94
500 $0.9306 $465.3
1000 $0.9212 $921.2
1500 $0.9118 $1367.7
2000 $0.9024 $1804.8
2500 $0.893 $2232.5
446 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 43mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.7V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 400 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor HUML2020L8
pacote / caixa 8-PowerUDFN
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Número da peça relacionada

FQA6N80
FQA6N80
$0 $/pedaço
DMTH6004LPSQ-13
MSC750SMA170B4
SUP10250E-GE3
SUP10250E-GE3
$0 $/pedaço
MCH3375-TL-H
MCH3375-TL-H
$0 $/pedaço
IPB024N10N5ATMA1
IPW80R280P7XKSA1
BSP296L6433
SCTWA90N65G2V-4

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