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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 30 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 1.6A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4V, 10V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 295mOhm @ 800mA, 10V |
vgs(th) (máx.) @ id | - |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 2.2 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 82 pF @ 10 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 800mW (Ta) |
temperatura de operação | 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | SC-70FL/MCPH3 |
pacote / caixa | SOT-23-3 Flat Leads |
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