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SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

não conforme

SI7772DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.32698 -
6,000 $0.30443 -
15,000 $0.29315 -
30,000 $0.28700 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1084 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/pedaço
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/pedaço
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/pedaço
BSS159NL6906
NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G
$0 $/pedaço
FCH041N60E
FCH041N60E
$0 $/pedaço
FDMS7672
FDMS7672
$0 $/pedaço
RSQ045N03HZGTR

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