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FDMS7672

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 19A/28A 8PQFN

não conforme

FDMS7672 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.39532 -
6,000 $0.37555 -
15,000 $0.36143 -
1780 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Ta), 28A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2960 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

RSQ045N03HZGTR
IPZ60R037P7XKSA1
TN0610N3-G-P013
NTB5D0N15MC
NTB5D0N15MC
$0 $/pedaço
SQJ848EP-T1_GE3
IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/pedaço
PSMN4R5-30YLC,115

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