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PJMP120N60EC_T0_00001

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PJMP120N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

não conforme

PJMP120N60EC_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.15000 $7.15
500 $7.0785 $3539.25
1000 $7.007 $7007
1500 $6.9355 $10403.25
2000 $6.864 $13728
2500 $6.7925 $16981.25
1998 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 120mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1960 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 235W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB-L
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IPZ60R037P7XKSA1
TN0610N3-G-P013
NTB5D0N15MC
NTB5D0N15MC
$0 $/pedaço
SQJ848EP-T1_GE3
IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/pedaço
PSMN4R5-30YLC,115
SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3
$0 $/pedaço

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