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PJQ4476AP_R2_00001

PJQ4476AP_R2_00001

PJQ4476AP_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

SOT-23

não conforme

PJQ4476AP_R2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1519 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 62W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3
$0 $/pedaço
NTB18N06T4
NTB18N06T4
$0 $/pedaço
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
G65P06T
$0 $/pedaço
IRFP4110PBF
STW42N65M5
STW42N65M5
$0 $/pedaço
SI3415A-TP
SI3415A-TP
$0 $/pedaço
IRFH5300TRPBF
SIHA12N50E-GE3
SIHA12N50E-GE3
$0 $/pedaço
SPS01N60C3

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