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SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

SQJ848EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

não conforme

SQJ848EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.79704 -
6,000 $0.75962 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 47A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2500 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXFT42N50P2
IXFT42N50P2
$0 $/pedaço
PSMN4R5-30YLC,115
SIHU6N65E-GE3
SIHU6N65E-GE3
$0 $/pedaço
NTB18N06T4
NTB18N06T4
$0 $/pedaço
SIHG80N60EF-GE3
G65P06T
G65P06T
$0 $/pedaço
IRFP4110PBF

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