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SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8

não conforme

SI7112DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.76358 -
6,000 $0.72773 -
15,000 $0.70212 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2610 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta)
temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

R6511KNXC7G
R6511KNXC7G
$0 $/pedaço
BSS138
BSS138
$0 $/pedaço
SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3
$0 $/pedaço
RM20N650T2
RM20N650T2
$0 $/pedaço
SCT040H65G3AG
IRF2807STRRPBF
SIHF9520S-GE3
SIHF9520S-GE3
$0 $/pedaço
FQPF6P25
2N7002WT1G
2N7002WT1G
$0 $/pedaço

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