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SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

não conforme

SI7104DN-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.10950 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.8V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2800 pF @ 6 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRFS11N50ATRRP
IRFS11N50ATRRP
$0 $/pedaço
STF11NM80
STF11NM80
$0 $/pedaço
PSMN102-200Y,115
IXTA1R4N120P-TRL
IXTA1R4N120P-TRL
$0 $/pedaço
IXTP14N60P
IXTP14N60P
$0 $/pedaço
MCH6336-TL-E
MCH6336-TL-E
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IXTP260N055T2
IXTP260N055T2
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