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IXTP14N60P

IXTP14N60P

IXTP14N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

não conforme

IXTP14N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $2.61000 $130.5
30 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 550mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

MCH6336-TL-E
MCH6336-TL-E
$0 $/pedaço
IXTP260N055T2
IXTP260N055T2
$0 $/pedaço
STFH18N60M2
STFH18N60M2
$0 $/pedaço
NTB082N65S3F
NTB082N65S3F
$0 $/pedaço
BUK753R1-40E,127
IRF720PBF
IRF720PBF
$0 $/pedaço
AUIRFS8403
SQD50N04-5M6L_GE3
RS1E321GNTB1
RS1E321GNTB1
$0 $/pedaço

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