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IXTA1R4N120P-TRL

IXTA1R4N120P-TRL

IXTA1R4N120P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

não conforme

IXTA1R4N120P-TRL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.65894 $3.65894
500 $3.6223506 $1811.1753
1000 $3.5857612 $3585.7612
1500 $3.5491718 $5323.7577
2000 $3.5125824 $7025.1648
2500 $3.475993 $8689.9825
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 100µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 666 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 86W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D2Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXTP14N60P
IXTP14N60P
$0 $/pedaço
MCH6336-TL-E
MCH6336-TL-E
$0 $/pedaço
IXTP260N055T2
IXTP260N055T2
$0 $/pedaço
STFH18N60M2
STFH18N60M2
$0 $/pedaço
NTB082N65S3F
NTB082N65S3F
$0 $/pedaço
BUK753R1-40E,127
IRF720PBF
IRF720PBF
$0 $/pedaço
AUIRFS8403
SQD50N04-5M6L_GE3

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